| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | 1N65G |
| 品牌 | UMW(友台半导体) |
| 封装 | 封装: SOT-223-4 |
| 描述 | 描述: N沟道 耐压:650V 电流:1A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):1A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11Ω@10V,500mA 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA |
| 类型 | N沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A |
| 功率(Pd) | 11Ω@10V,500mA |
| 编号 | 编号: C404319 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
1N65G
¥0.6788
库存 1830 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.6788 |
| 10 - 99 | ¥0.6109 |
| 100 - 999 | ¥0.5770 |
| 1000 + | ¥0.5430 |