| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | 2N7002 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-23-3L |
| 描述 | 描述:这款N沟道增强模式MOSFET采用专有的高单元密度DMOS技术生产。该产品的设计可在最大程度减少导通电阻的同时提供稳固、可靠和快速开关的性能表现。2N7002可用于需要高达400mA直流电的大多数应用，并可提供高达2A的脉冲电流。本产品特别适合于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率MOSFET栅极驱动器和其他开关应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 115mA |
| 功率(Pd) | 200mW |
| 编号 | C124475 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
2N7002
¥1.1898
库存 2735 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.1898 |
| 10 - 99 | ¥1.0708 |
| 100 - 999 | ¥1.0113 |
| 1000 + | ¥0.9518 |