| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | A2P75S12M3 |
| 品牌 | ST(意法半导体) |
| 封装 | 封装: – |
| 描述 | 描述: 耐压:1.2kV 电流:75A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):1.2kV 集电极电流(Ic):75A 功率(Pd):454.5W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV |
| 集电极电流(Ic) | 75A |
| 功率(Pd) | 454.5W |
| 编号 | 编号: C5268136 |
| 圆盘 | 18个/托盘 |
Sold out
A2P75S12M3
¥629.2700
无货