| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | AFGB30T65SQDN |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-263 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:60A 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):60A 功率(Pd):220W 采用新型场截止第 4 代 IGBT 技术且通过了 AEC-Q101 认证。AFGB30T65SQDN 具有最佳性能以及低导通损耗和开关损耗，可在各种应用中实现高效运行。 |
| IGBT类型 | 650V |
| 集射极击穿电压(Vces) | 60A |
| 集电极电流(Ic) | 220W |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | 编号: C603140 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
AFGB30T65SQDN
¥38.8100
无货