| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | AFGHL50T65SQDC |
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| 封装 | 封装: TO-247-3L |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:100A IGBT类型:场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):238W 安森美半导体的新型混合 IGBT 系列采用新型场截止 IGBT 和 SiC SBD 技术，为硬开关应用提供了最佳性能。该器件将硅基 IGBT 与 SiC 肖特基势垒二极管联合封装，在硅基解决方案的较低性能和全碳化硅解决方案的较高成本之间实现了绝佳平衡。 |
| IGBT类型 | 场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 100A |
| 功率(Pd) | 238W |
| 编号 | 编号: C603143 |
| 圆盘 | 450个/管 |
Sold out
AFGHL50T65SQDC
¥107.5200
无货