| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | AH3762Q-P-B |
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 封装 | 封装: SIP-3 |
| 描述 | 描述: 霍尔效应锁存 工作点(Gs):40Gs 释放点(Gs):-40Gs |
| 工作点(Gs) | 40Gs |
| 释放点(Gs) | -40Gs |
| 输出电压 | |
| 圆盘 | 1000个/圆盘 |
AH3762Q-P-B
¥4.5240
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.5240 |
| 10 - 99 | ¥4.0716 |
| 100 - 999 | ¥3.8454 |
| 1000 + | ¥3.6192 |
¥4.5240
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥4.5240 |
| 10 - 99 | ¥4.0716 |
| 100 - 999 | ¥3.8454 |
| 1000 + | ¥3.6192 |
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | AH3762Q-P-B |
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 封装 | 封装: SIP-3 |
| 描述 | 描述: 霍尔效应锁存 工作点(Gs):40Gs 释放点(Gs):-40Gs |
| 工作点(Gs) | 40Gs |
| 释放点(Gs) | -40Gs |
| 输出电压 | |
| 圆盘 | 1000个/圆盘 |