| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | AIKB30N65DF5ATMA1 |
| 品牌 | Infineon(英飞凌) |
| 封装 | 封装: TO-263-3 |
| 描述 | 描述: 耐压:650V 电流:55A IGBT类型:沟槽场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):55A 功率(Pd):188W |
| IGBT类型 | 沟槽场截止 |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集电极电流(Ic) | 55A |
| 功率(Pd) | 188W |
| 编号 | 编号: C3191781 |
| 圆盘 | 1000个/圆盘 |
Sold out
AIKB30N65DF5ATMA1
¥72.2800
无货