| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | APTGT30H60T1G |
| 品牌 | Microchip Technology |
| 封装 | SP1-12 |
| 描述 | IGBT 模块 DOR CC8008 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 50 A |
| 射极饱和电压 | 300 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 90 W |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Full Bridge |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 100 C |
APTGT30H60T1G
¥473.1875
库存 13 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥473.1875 |
| 10 - 99 | ¥425.8688 |
| 100 - 999 | ¥402.2094 |
| 1000 + | ¥378.5500 |