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BSC16DN25NS3 G

¥17.4133

库存 18231 件
数量 价格
1 - 9 ¥17.4133
10 - 99 ¥15.6720
100 - 999 ¥14.8013
1000 + ¥13.9306

产品属性 属性值
型号 BSC16DN25NS3 G
品牌 Infineon Technologies
封装 TDSON-8
描述 MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 250 V
Id-连续漏极电流 10.9 A
Rds On-漏源导通电阻 165 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 62.5 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 8.6 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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