| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | BSM50GD120DN2E3226 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | EconoPACK 2 |
| 描述 | IGBT 模块 N-CH 1.2KV 50A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 72 A |
| 射极饱和电压 | 200 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 350 W |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Full Bridge |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
BSM50GD120DN2E3226
¥1,764.8566
库存 52 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1,764.8566 |
| 10 - 99 | ¥1,588.3709 |
| 100 - 999 | ¥1,500.1281 |
| 1000 + | ¥1,411.8853 |