欢迎来到GHPCBA.COM               全年质保               联系我们
邮箱:bob@ghchip.cn         电话: +86-18390034300
所有分类
联系电话:+86-0755-82773089

BSZ060NE2LSATMA1

¥6.4297

库存 70860 件
数量 价格
1 - 9 ¥6.4297
10 - 99 ¥5.7867
100 - 999 ¥5.4652
1000 + ¥5.1438

产品属性 属性值
型号 BSZ060NE2LSATMA1
品牌 Infineon Technologies
封装 TSDSON-8
描述 MOSFET N-Ch 25V 40A TDSON-8 OptiMOS
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 25 V
Id-连续漏极电流 40 A
Rds On-漏源导通电阻 6.5 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 – 20 V, + 20 V
Pd-功率耗散 26 W
Vgs th-栅源极阈值电压 – 20 V, + 20 V
Qg-栅极电荷 9.1 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

Search for products

Back to Top
Product has been added to your cart