| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | BTA2008-1000D,126 |
| 数据手册 |  |
| 品牌 | WeEn Semiconductors |
| 所属分类 | 双向可控硅 |
| 单价 | 2.5425 |
| 描述 | 双向可控硅 BTA2008-1000D/TO-92/STANDARD M |
| 封装-箱体 | TO-92-3 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下） | – |
| 开启状态电压 | 1.3 V |
| 保持电流Ih最大值 | 10 mA |
| 栅极触发电压-Vgt | 850 mV |
| 栅极触发电流-Igt | |
| 不重复通态电流 | 9 A |
| 额定重复关闭状态电压 VDRM | 1 kV |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 125 C |
BTA2008-1000D,126
¥2.5425
库存 9459 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.5425 |
| 10 - 99 | ¥2.2883 |
| 100 - 999 | ¥2.1611 |
| 1000 + | ¥2.0340 |