| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | DF80R12W2H3F_B11 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | Module |
| 描述 | IGBT 模块 LOW POWER EASY |
| 产品 | IGBT Silicon Carbide Modules |
| 发射极最大电压 | 20 A |
| 射极饱和电压 | 100 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | – |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Dual |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
DF80R12W2H3F_B11
¥709.7869
库存 3 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥709.7869 |
| 10 - 99 | ¥638.8082 |
| 100 - 999 | ¥603.3189 |
| 1000 + | ¥567.8295 |