产品属性 | 属性值 |
型号 | DGTD65T50S1PT |
品牌 | DIODES(美台) |
封装 | 封装: TO-247-3 |
描述 | 描述: 耐压:650V 电流:100A IGBT类型:场截止 集射极击穿电压(Vces):650V 集电极电流(Ic):100A 功率(Pd):375W |
IGBT类型 | 场截止 |
集射极击穿电压(Vces) | 650V |
集电极电流(Ic) | 100A |
功率(Pd) | 375W |
编号 | 编号: C705311 |
圆盘 | 450个/管 |

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DGTD65T50S1PT
¥19.7400
无货