| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | DMG6601LVT-7 |
| 品牌 | DIODES(美台) |
| 封装 | 封装: SOT-26 |
| 描述 | 描述: 1个N沟道和1个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A 电流:3.8A 类型:1个N沟道和1个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):3.8A；2.5A 功率(Pd):850mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@3.4A,10V 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA |
| 类型 | 1个N沟道和1个P沟道 |
| 最大钳位电压漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.8A；2.5A |
| 功率(Pd) | 850mW |
| 编号 | 编号: C278728 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
DMG6601LVT-7
¥0.6648
库存 18000 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥0.6648 |
| 10 - 99 | ¥0.5983 |
| 100 - 999 | ¥0.5651 |
| 1000 + | ¥0.5318 |