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DMWS120H100SM4

¥144.8999

库存 65 件
数量 价格
1 - 9 ¥144.8999
10 - 99 ¥130.4099
100 - 999 ¥123.1649
1000 + ¥115.9199

产品属性 属性值
型号 DMWS120H100SM4
品牌 Diodes Incorporated
封装 TO-247-4
描述 MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS
通道 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压 1.2 kV
Id-连续漏极电流 37.2 A
Rds On-漏源导通电阻 100 mOhms
Vgs – 栅极-源极电压 + 19 V, – 8 V
Pd-功率耗散 208 W
Vgs th-栅源极阈值电压 + 19 V, – 8 V
Qg-栅极电荷 52 nC
最小工作温度 – 55 C
最大工作温度 + 150 C

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