产品属性 | 属性值 |
型号 | DMWS120H100SM4 |
品牌 | Diodes Incorporated |
封装 | TO-247-4 |
描述 | MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS |
通道 | 1 Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
Id-连续漏极电流 | 37.2 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
Vgs – 栅极-源极电压 | + 19 V, – 8 V |
Pd-功率耗散 | 208 W |
Vgs th-栅源极阈值电压 | + 19 V, – 8 V |
Qg-栅极电荷 | 52 nC |
最小工作温度 | – 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
DMWS120H100SM4
¥144.8999
库存 65 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥144.8999 |
10 - 99 | ¥130.4099 |
100 - 999 | ¥123.1649 |
1000 + | ¥115.9199 |