| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | EFC4C002NLTDG |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:WLCSP-8(2.5×6) |
| 描述 | 描述:此N沟道功率MOSFET是使用安森美半导体的沟槽技术生产的，专门用于最大程度减小门极电荷，实现超低导通电阻。此器件适用于无人机或笔记本电脑应用。 |
| 类型 | 2个N沟道(共漏) |
| 漏源电压(Vdss) | 2.6W |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2V@1mA |
| 功率(Pd) | 45nC@4.5V |
| 编号 | C895362 |
| 圆盘 | 5000个/圆盘 |
EFC4C002NLTDG
¥20.0690
库存 60 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥20.0690 |
| 10 - 99 | ¥18.0621 |
| 100 - 999 | ¥17.0587 |
| 1000 + | ¥16.0552 |