| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | ES1DR3G |
| 品牌 | TaiwanSemiconductor(台湾半导体) |
| 封装 | 封装:SMA(DO-214AC) |
| 描述 | 描述:电压:200V电流:1A正向压降(Vf):950mV@1A直流反向耐压(Vr):200V平均整流电流(Io):1A反向恢复时间(trr):35ns |
| 二极管配置 | 950mV@1A |
| 正向压降(Vf) | 200V |
| 直流反向耐压(Vr) | 1A |
| 平均整流电流(Io) | 35ns |
| 编号 | C5252335 |
| 圆盘 | 1800个/圆盘 |

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ES1DR3G
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无货