| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | ES1M |
| 品牌 | HXYMOSFET(华轩阳电子) |
| 封装 | 封装:SMA |
| 描述 | 描述:电压:1kV电流:1A二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A直流反向耐压(Vr):1kV平均整流电流(Io):1A反向恢复时间(trr):70ns |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@1A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 平均整流电流(Io) | 1A |
| 编号 | C5199094 |
| 圆盘 | 2000个/圆盘 |
Sold out
ES1M
¥0.0533
无货
¥0.0533
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | ES1M |
| 品牌 | HXYMOSFET(华轩阳电子) |
| 封装 | 封装:SMA |
| 描述 | 描述:电压:1kV电流:1A二极管配置:独立式正向压降(Vf):1.7V@1A直流反向耐压(Vr):1kV平均整流电流(Io):1A反向恢复时间(trr):70ns |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 正向压降(Vf) | 1.7V@1A |
| 直流反向耐压(Vr) | 1kV |
| 平均整流电流(Io) | 1A |
| 编号 | C5199094 |
| 圆盘 | 2000个/圆盘 |