| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FCB20N60TM |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:SuperFETMOSFET是第一代高压超结(SJ)MOSFET系列，利用电荷平衡技术实现出色的低导通电阻，以及更低门极电荷方面的出色性能。此技术专用于最大程度降低导通损耗，提供出色的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，SuperFETMOSFET非常适用于开关电源应用，如PFC、服务器/电信电源、FPDTV电源、ATX电源和工业电源应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 600V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 功率(Pd) | 208W |
| 编号 | C330104 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FCB20N60TM
¥30.6200
库存 2 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥30.6200 |
| 10 - 99 | ¥27.5580 |
| 100 - 999 | ¥26.0270 |
| 1000 + | ¥24.4960 |