| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FD1000R33HE3-K |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 封装 | |
| 描述 | IGBT 模块 IGBT 3300V 1000A |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 发射极最大电压 | 1 kA |
| 射极饱和电压 | 400 nA |
| 栅极/发射极最大电压 | 1.6 MW |
| 连续集电极电流 | |
| 配置 | Dual |
| 最小工作温度 | – 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
FD1000R33HE3-K
¥13,606.8046
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥13,606.8046 |
| 10 - 99 | ¥12,246.1241 |
| 100 - 999 | ¥11,565.7839 |
| 1000 + | ¥10,885.4437 |