| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB0190N807L |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263-7 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，该工艺特别适用于为工业应用最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的坚固性和开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 270A |
| 功率(Pd) | 3.8W；250W |
| 编号 | C462725 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FDB0190N807L
¥50.2000
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥50.2000 |
| 10 - 99 | ¥45.1800 |
| 100 - 999 | ¥42.6700 |
| 1000 + | ¥40.1600 |