| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB024N08BL7 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263-7 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 功率(Pd) | 246W |
| 编号 | C898538 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FDB024N08BL7
¥23.0500
无货
¥23.0500
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB024N08BL7 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263-7 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 80V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 功率(Pd) | 246W |
| 编号 | C898538 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |