| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB031N08 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 75V |
| 连续漏极电流(Id) | 235A |
| 功率(Pd) | 375W |
| 编号 | C462726 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FDB031N08
¥21.2200
无货
¥21.2200
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB031N08 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的，适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 75V |
| 连续漏极电流(Id) | 235A |
| 功率(Pd) | 375W |
| 编号 | C462726 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |