| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB047N10 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263 |
| 描述 | 描述:该N沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 功率(Pd) | 375W |
| 编号 | C258202 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FDB047N10
¥14.5700
无货
¥14.5700
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB047N10 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263 |
| 描述 | 描述:该N沟道MOSFET采用飞兆半导体的PowerTrench |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 120A |
| 功率(Pd) | 375W |
| 编号 | C258202 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |