| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB075N15A |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，该工艺适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 130A |
| 功率(Pd) | 333W |
| 编号 | C59864 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FDB075N15A
¥28.9500
库存 582 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥28.9500 |
| 10 - 99 | ¥26.0550 |
| 100 - 999 | ¥24.6075 |
| 1000 + | ¥23.1600 |