产品属性 | 属性值 |
型号 | FDB075N15A |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TO-263-2 |
描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,该工艺适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 150V |
连续漏极电流(Id) | 130A |
功率(Pd) | 333W |
编号 | C59864 |
圆盘 | 800个/圆盘 |

FDB075N15A
¥28.9500
库存 582 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥28.9500 |
10 - 99 | ¥26.0550 |
100 - 999 | ¥24.6075 |
1000 + | ¥23.1600 |