| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB20N50F |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263(D2PAK) |
| 描述 | 描述:UniFETTMMOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。此MOSFET适用于降低导通电阻，提供更好的开关性能以及更高的雪崩能量强度。UniFETFRFETMOSFET的体二极管的反向恢复性能通过生命周期控制而得到增强。其trr小于100nsec，反向dv/dt抗扰度为15V/ns，而普通MOSFET的这两个指标分别为200nsec和4.5V/nsec以上。因此，在MOSFET体二极管的性能非常重要的某些应用中，它可以消除附加组件，提高系统可靠性。此器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正(PFC)、平板显示屏(FPD)TV电源、ATX和电子灯镇流器。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 500V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| 功率(Pd) | 250W |
| 编号 | C898552 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FDB20N50F
¥32.1500
无货