| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB3502 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263AB |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET采用飞兆半导体先进的PowerTrench工艺生产，这一先进工艺是专为最大限度地降低通态电阻并保持卓越开关性能而定制的。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 75V |
| 连续漏极电流(Id) | 6A；14A |
| 功率(Pd) | 3.1W；41W |
| 编号 | C898556 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FDB3502
¥9.1540
库存 310 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥9.1540 |
| 10 - 99 | ¥8.2386 |
| 100 - 999 | ¥7.7809 |
| 1000 + | ¥7.3232 |