| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB86102LZ |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-263AB |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻和开关损耗。增加了G-S齐纳以提高ESD电压水平。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.3A；30A |
| 功率(Pd) | 3.1W |
| 编号 | C898564 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
FDB86102LZ
¥10.5500
库存 2 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥10.5500 |
| 10 - 99 | ¥9.4950 |
| 100 - 999 | ¥8.9675 |
| 1000 + | ¥8.4400 |