| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB86135 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 功率(Pd) | 2.4W；227W |
| 编号 | C898565 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |
Sold out
FDB86135
¥35.4000
无货
¥35.4000
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDB86135 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:D2PAK |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 功率(Pd) | 2.4W；227W |
| 编号 | C898565 |
| 圆盘 | 800个/圆盘 |