| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6303N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此类双N沟道逻辑电平增强型场效应晶体管是使用高单元密度的DMOS专属技术生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此器件适合在低压应用中替代负载开关应用中的数字晶体管。因为无需偏置电阻，所以此类N沟道FET可以替代若干具有各种偏置电阻的数字晶体管，如IMHxA系列。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C236887 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC6303N
¥2.3300
库存 4 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.3300 |
| 10 - 99 | ¥2.0970 |
| 100 - 999 | ¥1.9805 |
| 1000 + | ¥1.8640 |