| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6306P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此类P沟道2.5V指定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C124461 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC6306P
¥2.5200
库存 1140 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.5200 |
| 10 - 99 | ¥2.2680 |
| 100 - 999 | ¥2.1420 |
| 1000 + | ¥2.0160 |