产品属性 | 属性值 |
型号 | FDC6333C |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:SuperSOT-6 |
描述 | 描述:此类N和P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用,可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
类型 | |
漏源电压(Vdss) | |
连续漏极电流(Id) | |
功率(Pd) | |
编号 | C154557 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

FDC6333C
¥2.4900
库存 737 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥2.4900 |
10 - 99 | ¥2.2410 |
100 - 999 | ¥2.1165 |
1000 + | ¥1.9920 |