| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6333C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SuperSOT-6 |
| 描述 | 描述:此类N和P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C154557 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC6333C
¥2.4900
库存 737 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.4900 |
| 10 - 99 | ¥2.2410 |
| 100 - 999 | ¥2.1165 |
| 1000 + | ¥1.9920 |