| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC637AN |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SOT-666-6 |
| 描述 | 描述:此N沟道2.5V指定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现卓越的开关性能。与更大的SO-8和TSSOP-8封装相比，此器件可在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C479707 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC637AN
¥2.6400
库存 2991 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.6400 |
| 10 - 99 | ¥2.3760 |
| 100 - 999 | ¥2.2440 |
| 1000 + | ¥2.1120 |