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FDC638P

¥2.5600

库存 2225 件
数量 价格
1 - 9 ¥2.5600
10 - 99 ¥2.3040
100 - 999 ¥2.1760
1000 + ¥2.0480
产品属性 属性值
型号 FDC638P
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TSOT-23-6
描述 描述:此P沟道2.5V指定MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件非常适用于电池电源应用:负载开关和电力管理、电池充电电路和DC/DC转换。
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 4.5A
功率(Pd) 1.6W
编号 C241772
圆盘 3000个/圆盘

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