| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6401N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SuperSOT-6 |
| 描述 | 描述:此双N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总效率而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关。 |
| 类型 | 2个N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 连续漏极电流(Id) | 3A |
| 功率(Pd) | 700mW |
| 编号 | C154559 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC6401N
¥3.0200
库存 349 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥3.0200 |
| 10 - 99 | ¥2.7180 |
| 100 - 999 | ¥2.5670 |
| 1000 + | ¥2.4160 |