| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6420C |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此类N和P沟道MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更昂贵的SO-8和TSSOP-8封装的应用，可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C154515 |
| 圆盘 |
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FDC6420C
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无货