产品属性 | 属性值 |
型号 | FDC642P |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:SSOT-6 |
描述 | 描述:此P沟道2.5V指定MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用,可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。 |
类型 | P沟道 |
漏源电压(Vdss) | 20V |
连续漏极电流(Id) | 4A |
功率(Pd) | 1.6W |
编号 | C890875 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

FDC642P
¥2.4800
库存 2269 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥2.4800 |
10 - 99 | ¥2.2320 |
100 - 999 | ¥2.1080 |
1000 + | ¥1.9840 |