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FDC642P

¥2.4800

库存 2269 件
数量 价格
1 - 9 ¥2.4800
10 - 99 ¥2.2320
100 - 999 ¥2.1080
1000 + ¥1.9840
产品属性 属性值
型号 FDC642P
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:SSOT-6
描述 描述:此P沟道2.5V指定MOSFET是使用PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现卓越的开关性能。此类器件适用于无法采用更大封装的应用,可为其在非常小的占地面积中提供卓越的功率耗散。
类型 P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id) 4A
功率(Pd) 1.6W
编号 C890875
圆盘 3000个/圆盘

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