| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC645N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总效率而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C241775 |
| 圆盘 |
Sold out
FDC645N
¥1.9228
无货
¥1.9228
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC645N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-23-6 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总效率而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。它经过了优化，可实现低门极电荷、低RDS(ON)和快速开关。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5.5A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C241775 |
| 圆盘 |