| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC653N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SSOT-6 |
| 描述 | 描述:此N沟道增强型场效应功率晶体管是使用高单元密度的DMOS专属工艺生产的。这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。此类器件特别适用于笔记本电脑、手机、PCMICA卡和其他电池供电电路等低压应用，在此类应用中需要在非常小形的表面贴装封装中实现快速开关和线路内低功率损耗。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 5A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C10887 |
| 圆盘 |
Sold out
FDC653N
¥2.1060
无货