| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC654P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SuperSOT-6 |
| 描述 | 描述:此P沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的。此产品非常适用于电池管理应用。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C81608 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC654P
¥2.4900
库存 2300 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.4900 |
| 10 - 99 | ¥2.2410 |
| 100 - 999 | ¥2.1165 |
| 1000 + | ¥1.9920 |