| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC655BN |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:SSOT-6 |
| 描述 | 描述:此N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。此类器件非常适用于要求线内低功率损耗和快速开关的低压和电池供电应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.3A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C201758 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC655BN
¥1.6072
库存 1 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥1.6072 |
| 10 - 99 | ¥1.4465 |
| 100 - 999 | ¥1.3661 |
| 1000 + | ¥1.2858 |