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FDC6561AN

¥2.8900

库存 630 件
数量 价格
1 - 9 ¥2.8900
10 - 99 ¥2.6010
100 - 999 ¥2.4565
1000 + ¥2.3120
产品属性 属性值
型号 FDC6561AN
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TSOT-26
描述 描述:这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本DC/DC转换的电池供电系统。
类型
漏源电压(Vdss)
连续漏极电流(Id)
功率(Pd)
编号 C10865
圆盘 3000个/圆盘

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