产品属性 | 属性值 |
型号 | FDC6561AN |
品牌 | ONSEMI(安森美) |
封装 | 封装:TSOT-26 |
描述 | 描述:这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持低门极电荷,实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本DC/DC转换的电池供电系统。 |
类型 | |
漏源电压(Vdss) | |
连续漏极电流(Id) | |
功率(Pd) | |
编号 | C10865 |
圆盘 | 3000个/圆盘 |

FDC6561AN
¥2.8900
库存 630 件
数量 | 价格 |
---|---|
1 - 9 | ¥2.8900 |
10 - 99 | ¥2.6010 |
100 - 999 | ¥2.4565 |
1000 + | ¥2.3120 |