| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC6561AN |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOT-26 |
| 描述 | 描述:这些N沟道逻辑电平MOSFET是使用先进的PowerTrench工艺生产的，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持低门极电荷，实现出色的开关性能。这些器件非常适合需要小体积的所有应用、尤其是希望实现低成本DC/DC转换的电池供电系统。 |
| 类型 | |
| 漏源电压(Vdss) | |
| 连续漏极电流(Id) | |
| 功率(Pd) | |
| 编号 | C10865 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC6561AN
¥2.8900
库存 630 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.8900 |
| 10 - 99 | ¥2.6010 |
| 100 - 999 | ¥2.4565 |
| 1000 + | ¥2.3120 |