| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDC855N |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TSOP-6-1.5mm |
| 描述 | 描述:此款N沟道逻辑电平MOSFET是适合低电压和电池供电应用的高效方案此器件采用先进的PowerTrench工艺，最大程度地降低了导通电阻，从而优化功耗。非常适合线内功率损耗至关重要的应用。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A |
| 功率(Pd) | 1.6W |
| 编号 | C241778 |
| 圆盘 | 3000个/圆盘 |
FDC855N
¥2.4600
库存 4164 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥2.4600 |
| 10 - 99 | ¥2.2140 |
| 100 - 999 | ¥2.0910 |
| 1000 + | ¥1.9680 |