| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD306P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。此产品针对电池管理进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A |
| 功率(Pd) | 52W |
| 编号 | C336030 |
| 圆盘 |
Sold out
FDD306P
¥3.4591
无货
¥3.4591
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD306P |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252 |
| 描述 | 描述:此P沟道1.8V指定MOSFET采用先进的低压PowerTrench工艺。此产品针对电池管理进行了优化。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 12V |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A |
| 功率(Pd) | 52W |
| 编号 | C336030 |
| 圆盘 |