| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD3670 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET专为提高DC/DC转换器的总能效而设计，可以使用同步开关PWM控制器，也可以使用传统开关PWM控制器。与具有相当的RDS(ON)规格的其他MOSFET相比，此类MOSFET开关速度更快，门极电荷更低。因此该MOSFET驱动简单，也更安全（即使在非常高的频率下亦是如此），DC/DC电源设计具有更高的总体能效。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 34A |
| 功率(Pd) | 83W；3.8W |
| 编号 | C236890 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
FDD3670
¥13.7800
库存 173 件
| 数量 | 价格 |
|---|---|
| 1 - 9 | ¥13.7800 |
| 10 - 99 | ¥12.4020 |
| 100 - 999 | ¥11.7130 |
| 1000 + | ¥11.0240 |