| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD4685 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252(DPAK) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用PowerTrench专属技术生产的，可提供低rDS(on)和良好的开关特性，为应用带来出色性能。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A；32A |
| 功率(Pd) | 69W |
| 编号 | C258227 |
| 圆盘 |
Sold out
FDD4685
¥29.7000
无货
¥29.7000
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD4685 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252(DPAK) |
| 描述 | 描述:此P沟道MOSFET是使用PowerTrench专属技术生产的，可提供低rDS(on)和良好的开关特性，为应用带来出色性能。 |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8.4A；32A |
| 功率(Pd) | 69W |
| 编号 | C258227 |
| 圆盘 |