| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD5353 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；69W |
| 编号 | C462729 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |
Sold out
FDD5353
¥5.6900
无货
¥5.6900
| 产品属性 | 属性值 |
| 型号 | FDD5353 |
| 品牌 | ONSEMI(安森美) |
| 封装 | 封装:TO-252-2 |
| 描述 | 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产，特别适用于最大程度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能。 |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 11.5A；50A |
| 功率(Pd) | 3.1W；69W |
| 编号 | C462729 |
| 圆盘 | 2500个/圆盘 |