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FDD5353

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无货
产品属性 属性值
型号 FDD5353
品牌 ONSEMI(安森美)
封装 封装:TO-252-2
描述 描述:此N沟道MOSFET使用先进的PowerTrench工艺生产,特别适用于最大程度降低导通电阻,同时保持卓越的开关性能。
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id) 11.5A;50A
功率(Pd) 3.1W;69W
编号 C462729
圆盘 2500个/圆盘

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